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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V3389S6BCI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 64K X 18 DUAL-PORT SRAM, 6 ns, PBGA256 |
| 封裝： | BGA-256 |
| 文件頁數(shù)： | 5/17頁 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | IDT70V3389S6BCI |
6.42
IDT70V3389S
High-Speed 64K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
NOTES:
1. "H" = V
IH,
"L" = V
IL,
"X" = Don't Care.
2.
ADS
,
CNTEN
,
CNTRST
= V
IH
.
3.
OE
is an asynchronous input signal.
&'&()*+,*-(
!#
.
Left Port
Right Port
Names
CE
0L
,
CE
1L
CE
0R
,
CE
1R
Chip Enables
R/
W
L
R/
W
R
Read/Write Enable
OE
L
OE
R
Output Enable
A
0L
- A
15L
A
0R
- A
15R
Address
I/O
0L
- I/O
17L
I/O
0R
- I/O
17R
Data Input/Output
CLK
L
CLK
R
Clock
ADS
L
ADS
R
Address Strobe Enable
CNTEN
L
CNTEN
R
Counter Enable
CNTRST
L
CNTRST
R
Counter Reset
UB
L
- LB
L
UB
R
- LB
R
Byte Enables (9-bit bytes)
V
DDQL
V
DDQR
Power (I/O Bus) (3.3V or 2.5V)
(1)
OPT
L
OPT
R
Option for selecting V
DDQX
(1,2)
V
DD
Power (3.3V)
(1)
V
SS
Ground (0V)
4832 tbl 01
OE
CLK
CE
0
CE
1
UB
LB
R/
W
Upper Byte
I/O
9-18
Lower Byte
I/O
0-8
MODE
X
↑
L
H
H
H
X
High-Z
High-Z
All Bytes Deselected
X
↑
L
H
H
L
L
High-Z
D
IN
Write to Lower Byte Only
X
↑
L
H
L
H
L
D
IN
High-Z
Write to Upper Byte Only
X
↑
L
H
L
L
L
D
IN
D
IN
Write to Both Bytes
L
↑
L
H
H
L
H
High-Z
D
OUT
Read Lower Byte Only
L
↑
L
H
L
H
H
D
OUT
High-Z
Read Upper Byte Only
L
↑
L
H
L
L
H
D
OUT
D
OUT
Read Both Bytes
H
↑
L
H
L
L
X
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
4832 tbl 02
NOTES:
1. V
DD
, OPT
X
, and V
DDQX
must be set to appropriate operating levels prior to
applying inputs on the I/Os and controls for that port.
2. OPT
X
selects the operating voltage levels for the I/Os and controls on that port.
If OPT
X
is set to VIH (3.3V), then that port's I/Os and controls will operate at 3.3V
levels and V
DDQX
must be supplied at 3.3V. If OPT
X
is set to VIL (0V), then that
port's I/Os and controls will operate at 2.5V levels and V
DDQX
must be supplied
at 2.5V. The OPT pins are independent of one another—both ports can operate
at 3.3V levels, both can operate at 2.5V levels, or either can operate at 3.3V
with the other at 2.5V.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3389S6BF | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S6BFI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S6PRF | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S6PRFI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V3389S6BF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V3389S6BF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3389S6BFG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| IDT70V3389S6PRF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V3389S6PRF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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