參數(shù)資料
型號: IDT70V3389S6BCI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述: 64K X 18 DUAL-PORT SRAM, 6 ns, PBGA256
封裝: BGA-256
文件頁數(shù): 9/17頁
文件大?。?/td> 176K
代理商: IDT70V3389S6BCI
6.42
IDT70V3389S
High-Speed 64K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
&*
Input Pulse Levels (Address & Controls)
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For t
CKLZ
, t
CKHZ
, t
OLZ
, and t
OHZ
).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V/GND to 2.35V
GND to 3.0V/GND to 2.35V
3ns
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
Figures 1, 2, and 3
4832 tbl 10
1.5V/1.25
50
50
4832 drw 03
10pF
(Tester)
DATA
OUT
,
4832 drw 04
590
5pF*
435
3.3V
DATA
OUT
,
833
5pF*
770
2.5V
DATA
OUT
,
-1
1
2
3
4
5
6
7
20.5
30
50
80
100
200
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
Capacitance (pF)
tCD
(Typical, ns)
4832 drw 05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V3389S6BF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3389S6BFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3389S6PRF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3389S6PRFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3389S HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V3389S6BF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V3389S6BF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V3389S6BFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:
IDT70V3389S6PRF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V3389S6PRF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8