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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V3569S4BCI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速與3.3V 3.3V的16K的× 36 SYNCHRONOU仛流水線雙端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口 |
| 文件頁數(shù)： | 13/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 198K |
| 代理商： | IDT70V3569S4BCI |
6.42
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDRESS
An
CLK
DATA
OUT
Qx - 1
(2)
Qx
Qn
Qn + 2
(2)
Qn + 3
ADS
CNTEN
t
CYC2
t
CH2
t
CL2
4831 drw 11
t
SA
t
HA
t
SAD
t
HAD
t
CD2
t
DC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
t
SAD
t
HAD
t
SCN
t
HCN
READ
WITH
COUNTER
Qn + 1
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
DATA
IN
Dn + 3
Dn + 2
CE
0
CLK
4831 drw 10
DATA
OUT
Qn
Qn + 4
CE
1
BE
n
OE
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
t
CKLZ
t
CD2
t
OHZ
t
CD2
t
SD
t
HD
READ
WRITE
READ
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
(3)
(1)
t
SW
t
HW
(4)
&,8**3'***8
#
NOTES:
1.
CE
0
,
OE
,
BE
n
= V
IL
; CE
1
, R/
W
, and
CNTRST
= V
IH
.
2. If there is no address change via
ADS
= V
IL
(loading a new address) or
CNTEN
= V
IL
(advancing the address), i.e.
ADS
= V
IH
and
CNTEN
= V
IH
, then
the data output remains constant for subsequent clocks.
&,8 **AA,AA*
OE
*#
#
NOTES:
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determned by the previous cycle control signals.
2.
CE
0
,
BE
n
, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
.
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS
= V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference use
only.
4. This timng does not meet requirements for fastest speed grade. This waveformindicates how logically it could be done if timng so allows.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S4BF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S4BFI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S4DR | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S4DRI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3569S5BC | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S4BF | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4BF8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4BFG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4BFG8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208QFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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