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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V3569S4BCI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速與3.3V 3.3V的16K的× 36 SYNCHRONOU仛流水線雙端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 198K |
| 代理商： | IDT70V3569S4BCI |
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6.42
IDT70V3569S
High-Speed 16K x 36 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
8
-'/8'/
&*012
!#
2
9!%!2:52#
NOTES:
1. At f = f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency clock cycle of 1/t
CYC
, using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
4. V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
°
C for Typ, and are not production tested. I
DD DC
(f=0)
= 120mA (Typ).
5.
CE
X
= V
IL
means
CE
0X
= V
IL
and CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
means
CE
0X
= V
IH
or CE
1X
= V
IL
CE
X
< 0.2V means
CE
0X
< 0.2V and CE
1X
> V
CC
- 0.2V
CE
X
> V
CC
- 0.2V means
CE
0X
> V
CC
- 0.2V or CE
1X
- 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
70V3569S4
Com'l Only
70V3569S5
Com'l
& Ind
70V3569S6
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Unit
I
DD
Dynamic Operating
Current (Both
Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled,
f = f
MAX
COM'L
S
375
460
285
360
245
310
mA
IND
S
____
____
285
415
245
360
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
145
190
105
145
95
125
mA
IND
S
____
____
105
175
95
150
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
(1)
COM'L
S
265
325
190
260
175
225
mA
IND
S
____
____
190
300
175
260
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
DD
- 0.2V, V
IN
> V
DD
- 0.2V
or V
IN
< 0.2V, f = 0
(2)
COM'L
S
6
15
6
15
6
15
mA
IND
S
____
____
6
30
6
30
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
DD
- 0.2V
(5)
V
IN
> V
DD
- 0.2V or V
IN
< 0.2V, Active
Port, Outputs Disabled, f = f
MAX
(1)
COM'L
S
265
325
180
260
170
225
mA
IND
S
____
____
180
300
170
260
4831 tbl 09
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3569S4BF | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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參數(shù)描述 |
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| IDT70V3569S4BFG8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3569S4DR | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 4NS 208QFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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