參數(shù)資料
型號： IDT70V7599S133DRI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP208
封裝： 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
文件頁數(shù)： 9/22頁
文件大?。?/td> 489K
代理商： IDT70V7599S133DRI
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(5)
(V
DD
= 3.3V ± 150mV)
NOTES:
1. At f = f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency clock cycle of 1/t
CYC
, using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
4. V
DD
= 3.3V, T
A
= 25°C for Typ, and are not production tested. I
DD DC
(f=0)
= 120mA (Typ).
5.
CE
X
= V
IL
means
CE
0X
= V
IL
and CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
means
CE
0X
= V
IH
or CE
1X
= V
IL
CE
X
< 0.2V means
CE
0X
< 0.2V and CE
1X
> V
CC
- 0.2V
CE
X
> V
CC
- 0.2V means
CE
0X
> V
CC
- 0.2V or CE
1X
< 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. 166MHz Industrial Temperature not available in BF-208 package.
7. This speed grade available when V
DDQ
= 3.3.V for a specific port (i.e., OPTx = V
IH
). This speed grade available in BC-256 package only.
70V7599S200
(7)
Com'l Only
70V7599S166
(6)
Com'l
& Ind
70V7599S133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Unit
I
DD
Dynamic Operating
Current (Both
Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled,
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
815
950
675
790
550
645
mA
IND
S
____
____
675
830
550
675
I
S B1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COM'L
S
340
410
275
340
250
295
mA
IND
S
____
____
275
355
250
310
I
S B2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(3)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
(1)
COM'L
S
690
770
515
640
460
520
mA
IND
S
____
____
515
660
460
545
I
S B3
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
DD
- 0.2V, V
IN
> V
DD
- 0.2V
or V
IN
< 0.2V, f = 0
(2)
COM'L
S
10
30
10
30
10
30
mA
IND
S
____
____
10
40
10
40
I
S B4
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
DD
- 0.2V
(3)
V
IN
> V
DD
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port, Outputs Disabled, f = f
MAX
(1)
COM'L
S
690
770
515
640
460
520
mA
IND
S
____
____
515
660
460
545
5626 tbl 09
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V9089L9PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9079S HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9089S9PF Halogen Swivel Mount Lamp, 4 in x 6 in [101,6 mm x 152,4 mm], Spot Beam Pattern, 24 Vdc/60 W/2.5 A
IDT70V9079L12PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9079L15PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V7599S166BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S166BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S166BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S166BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S166BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*