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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V9079L9PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 12/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 332K |
| 代理商： | IDT70V9079L9PF |
6.42
IDT70V9089/79S/L
High Speed 3.3V 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform Port-to-Port Flow-Through Read
(1,2,3,5)
DATA
IN "A"
CLK
"B"
R/
W
"B"
ADDRESS
"A"
R/
W
"A"
CLK
"A"
ADDRESS
"B"
NO
MATCH
MATCH
NO
MATCH
MATCH
VALID
t
CWDD
t
CD1
t
DC
DATA
OUT "B"
3750 drw 09
VALID
VALID
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
SD
t
HD
t
HW
t
HA
t
CD1
t
CCS
t
DC
t
SA
t
SW
(4)
(4)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2.
CE
0
and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
.
3.
OE
= V
IL
for the Port "B", which is being read from.
OE
= V
IH
for the Port "A", which is being written to.
4. If t
CCS
< maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for t
CWDD
.
If t
CCS
> maximum specified, then data from right port READ is not valid until t
CCS
+ t
CD1
. t
CWDD
does not apply in this case.
5. All timing is the same for both left and right ports. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite of Port "A".
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IDT70V9099L6PF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9099L7PF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9099L9PF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9179L6PFI | HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70V9079L9PFI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| IDT70V9079S12PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9079S12PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V9079S6PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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