參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V9079L9PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁數(shù)： 8/19頁
文件大小： 332K
代理商： IDT70V9079L9PF
6.42
IDT70V9089/79S/L
High Speed 3.3V 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature Range
(Read and Write Cycle Timing)
(3,4)
(V
DD
= 3.3V ± 0.3, T
A
= 0°C to +70°C)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
2. The Pipelined output parameters (t
CYC2
, t
CD2
) apply to either or both left and right ports when
FT
/PIPE = V
IH
. Flow-through parameters (t
CYC1
, t
CD1
) apply when
FT
/PIPE = V
IL
for that port.
3. All input signals are synchronous with respect to the clock except for the asynchronous Output Enable (
OE
) and
FT
/PIPE.
FT
/PIPE should be treated as a
DC signal, i.e. steady state during operation.
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
Com'l Only
70V9089/79X7
Com'l Only
70VCom'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
CYC1
Clock Cycle Time (Flow-Through)
(2)
19
____
22
____
25
____
ns
t
CYC2
Clock Cycle Time (Pipelined)
(2)
10
____
12
____
15
____
ns
t
CH1
Clock High Time (Flow-Through)
(2)
6.5
____
7.5
____
12
____
ns
t
CL1
Clock Low Time (Flow-Through)
(2)
6.5
____
7.5
____
12
____
ns
t
CH2
Clock High Time (Pipelined)
(2)
4
____
5
____
6
____
ns
t
CL2
Clock Low Time (Pipelined)
(2)
4
____
5
____
6
____
ns
t
R
Clock Rise Time
____
3
____
3
____
3
ns
t
F
Clock Fall Time
____
3
____
3
____
3
ns
t
SA
Address Setup Time
3.5
____
4
____
4
____
ns
t
HA
Address Hold Time
0
____
0
____
1
____
ns
t
SC
Chip Enable Setup Time
3.5
____
4
____
4
____
ns
t
HC
Chip Enable Hold Time
0
____
0
____
1
____
ns
t
SW
R/
W
Setup Time
3.5
____
4
____
4
____
ns
t
HW
R/
W
Hold Time
0
____
0
____
1
____
ns
t
SD
Input Data Setup Time
3.5
____
4
____
4
____
ns
t
HD
Input Data Hold Time
0
____
0
____
1
____
ns
t
SAD
ADS
Setup Time
3.5
____
4
____
4
____
ns
t
HAD
ADS
Hold Time
0
____
0
____
1
____
ns
t
SCN
CNTEN
Setup Time
3.5
____
4
____
4
____
ns
t
HCN
CNTEN
Hold Time
0
____
0
____
1
____
ns
t
SRST
CNTRST
Setup Time
3.5
____
4
____
4
____
ns
t
HRST
CNTRST
Hold Time
0
____
0
____
1
____
ns
t
OE
Output Enable to Data Valid
____
6.5
____
7.5
____
9
ns
t
OLZ
Output Enable to Output Low-Z
(1)
2
____
2
____
2
____
ns
t
OHZ
Output Enable to Output High-Z
(1)
1
7
1
7
1
7
ns
t
CD1
Clock to Data Valid (Flow-Through)
(2)
____
15
____
18
____
20
ns
t
CD2
Clock to Data Valid (Pipelined)
(2)
____
6.5
____
7.5
____
9
ns
t
DC
Data Output Hold After Clock High
2
____
2
____
2
____
ns
t
CKHZ
Clock High to Output High-Z
(1)
2
9
2
9
2
9
ns
t
CKLZ
Clock High to Output Low-Z
(1)
2
____
2
____
2
____
ns
Port-to-Port Delay
t
CWDD
Write Port Clock High to Read Data Delay
____
24
____
28
____
35
ns
t
CCS
Clock-to-Clock Setup Time
____
9
____
10
____
15
ns
3750 tbl 11a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V9099L12PF Small Signal Diode
IDT70V9099L6PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9099L7PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9099L9PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9179L6PFI HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT70V9079L9PFI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:
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IDT70V9079S6PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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