參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V9099L6PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 128K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 10/17頁(yè)
文件大小： 300K
代理商： IDT70V9099L6PF
6.42
IDT70V9199/099L
High-Speed 3.3V 128K x9/x8 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Bank Select Pipelined Read
(1,2)
t
CYC2
10
Timing Waveform with Port-to-Port Flow-Through Read
(4,5,7)
t
SC
t
HC
CE
0(B1)
ADDRESS
(B1)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CLK
4859 drw 08
Q
0
Q
1
Q
3
DATA
OUT(B1)
t
CH2
t
CL2
(3)
ADDRESS
(B2)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CE
0(B2)
DATA
OUT(B2)
Q
2
Q
4
t
CD2
t
CD2
t
CKHZ
t
CD2
t
CKLZ
t
DC
t
CKHZ
t
CD2
t
CKLZ
(3)
(3)
t
SC
t
HC
(3)
t
CKHZ
(3)
t
CKLZ
(3)
t
CD2
A
6
A
6
t
DC
t
SC
t
HC
t
SC
t
HC
DATA
IN "A"
CLK
"B"
R/
W
"B"
ADDRESS
"A"
R/
W
"A"
CLK
"A"
ADDRESS
"B"
NO
MATCH
MATCH
NO
MATCH
MATCH
VALID
t
CWDD
t
CD1
t
DC
DATA
OUT "B"
4859 drw 09
VALID
VALID
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
SD
t
HD
t
HW
t
HA
t
CD1
t
CCS
t
DC
t
SA
t
SW
(6)
(6)
NOTES:
1. B1 Represents Bank #1; B2 Represents Bank #2. Each Bank consists of one IDT70V9199/099 for this waveform, and are setup for depth expansion in this
example. ADDRESS
(B1)
= ADDRESS
(B2)
in this situation.
2.
OE
and
ADS
= V
IL
; CE
1(B1)
, CE
1(B2)
, R/
W
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
.
3. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
4.
CE
0
and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
.
5.
OE
= V
IL
for the Right Port, which is being read from.
OE
= V
IH
for the Left Port, which is being written to.
6. If t
CCS
< maximum specified, then data from right port READ is not valid until the maximum specified for t
CWDD
.
If t
CCS
> maximum specified, then data from right port READ is not valid until t
CCS
+ t
CD1
. t
CWDD
does not apply in this case.
7. All timing is the same for both Left and Right ports. Port "A" may be either Left or Right port. Port "B" is the opposite from Port "A".
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V9099L7PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9099L9PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9179L6PFI HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9279S9PRF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9269S9PRF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT70V9099L6PFG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V9099L6PFG8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V9099L7PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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