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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V9099L6PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 15/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 300K |
| 代理商： | IDT70V9099L6PF |
6.42
IDT70V9199/099L
High-Speed 3.3V 128K x9/x8 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Functional Description
The IDT70V9199/099 provides a true synchronous Dual-Port Static
RAM interface. Registered inputs provide minimal set-up and hold times
on address, data, and all critical control inputs. All internal registers are
clocked on the rising edge of the clock signal, however, the self-timed
internal write pulse s ndependent of the LOW to HIGH transition of the clock
signal.
An asynchronous output enable is provided to ease asynchronous
bus interfacing. Counter enable inputs are also provided to staff the
operation of the address counters for fast nterleaved memory applications.
CE
0
= V
IL
and CE
1
= V
IH
for one clock cycle will power down the nternal
circuitry to reduce static power consumption. Multiple chip enables allow
easier banking of multiple IDT70V9199/099's for depth expansion con-
figurations. When the Pipelined output mode is enabled, two cycles are
required with
CE
0
= V
IH
or CE
1
= V
IL
to re-activate the outputs.
15
Depth and Width Expansion
The IDT70V9199/099 features dual chip enables (refer to Truth Table
I) in order to facilitate rapid and simple depth expansion with no require-
ments for external ogic. Figure 4 llustrates how to control the varioius chip
enables in order to expand two devices in depth.
The IDT70V9199/099 can also be used in applications requiring
expanded width, as indicated in Figure 4. Since the banks are allocated
at the discretion of the user, the external controller can be set up to drive
the input signals for the various devices as required to allow for 18/16-bit
or wider applications.
4859 drw 18
IDT70V9199/099
CE
0
CE
1
V
DD
Control Inputs
CE
1
CE
0
Control Inputs
CE
0
CE
1
A
17
CE
1
CE
0
IDT70V9199/099
Control Inputs
Control Inputs
CNTRST
CLK
ADS
CNTEN
R/
W
OE
V
DD
IDT70V9199/099
IDT70V9199/099
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT70V9199/099
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V9099L7PF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V9099L9PF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9269S9PRF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V9099L6PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9099L6PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V9099L6PFG8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 6NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V9099L7PF | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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