參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7130SA20TFG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
中文描述： 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP64
封裝： 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64
文件頁(yè)數(shù)： 8/19頁(yè)
文件大小： 167K
代理商： IDT7130SA20TFG
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
8
AC Elec tric al Charac teristic s Over the
Operating Temperature Supply Voltage Range
(3)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage Output Test Load (Figure 2).
2. PLCC, TQFP and STQFP packages only.
3. 'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
4. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
.
7130X20
(2)
7140X20
(2)
Com'l Only
7130X25
7140X25
Com'l, Ind
& Mlitary
7130X35
7140X35
Com'l
& Mlitary
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
20
____
25
____
35
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
20
____
25
____
35
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
____
20
____
25
____
35
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
11
____
12
____
20
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,4)
____
10
____
10
____
15
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(4)
____
20
____
25
____
35
ns
2689 tbl 09a
7130X55
7140X55
Com'l, Ind
& Military
7130X100
7140X100
Com'l, Ind
& Military
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
55
____
100
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
55
____
100
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
____
55
____
100
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
25
____
40
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
10
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,4)
5
____
5
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,4)
____
25
____
40
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(4)
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(4)
____
50
____
50
ns
2689 tbl 09b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7130SA20TFGB HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA20TFGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25CG Replacement for Intersil part number 5962-8964301XC. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
IDT7130SA25CGB HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA25CGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7130SA25J 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130SA25J8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130SA25L48B 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 48LCC
IDT7130SA25PF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7130SA25PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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