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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7143SA35J |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| 中文描述： | 2K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC68 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-68 |
| 文件頁數(shù)： | 12/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | IDT7143SA35J |
6.42
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
2746 drw 11
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN"A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD
(4)
t
WDD
DATA
OUT "B"
$858*;;,--
BUSY
!
$858*
BUSY
!
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (IDT7143, slave) and output (IDT7133, master).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
3. All timng is the same for left and right ports. Port "
A
" may be either left or right port. Port "
B
" is the opposite fromport "
A
".
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins, t
APS
is ignored for Slave (IDT7143).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite fromport "A".
2746 drw 12
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH(1)
(2)
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7143SA35JB | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| IDT7143SA35JI | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| IDT7143SA35PF | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| IDT7143SA70JB | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
| IDT7143SA70JI | HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7143SA35J8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT7143SA35PF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT7143SA35PF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT7143SA55G | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7143SA55GB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 55NS 68PGA |
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