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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71P71804 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | IDT71P71804 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)當(dāng)前第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)
6.42
12
IDT71P71804 (1M x 18-Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
AC Test Load
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
=50
V
DDQ
/2
V
REF
OUTPUT
6112 drw 04
ZQ
R
Q
= 250
DDQ
/2
V
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Core Power Supply Voltage
V
DD
1.7 to 1.9
V
2
I/O Power Supply Voltage
V
DDQ
1.4 to V
DD
V
2
Input High Level
V
IH
(V
DDQ
/2)+ 0.5
V
Input Low Level
V
IL
(V
DDQ
/2)- 0.5
V
Input Reference Level
VREF
V
DDQ
/2
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
0.3/0.3
ns
DQ Rise/Fall Time
0.5/0.5
Output Timng Reference Level
V
DDQ
/2
V
6112 tbl 11a
AC Test Conditions
(1)
NOTE:
1. Parameters are tested with RQ=250
2. VDDQ does not exceed VDD. During AC testing VDDQ is within 300mV of
VDD.
Input Waveform
Output Waveform
(V
DDQ
/2) + 0.5V
(V
DDQ
/2) - 0.5V
6112 drw 07
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Test points
6112 drw 08
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Test points
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71604167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P71604200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P71604250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P71804167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P71804200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71P71804S167BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S167BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT71P71804S200BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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