參數(shù)資料
型號: IDT71P71804
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
中文描述: 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2
文件頁數(shù): 18/23頁
文件大?。?/td> 241K
代理商: IDT71P71804
6.42
18
IDT71P71804 (1M x 18-Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
Boundary S c an Exit Order (512K x 36-Bit)
ORDER
PINID
1
6R
2
6P
3
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4
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5
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36
9E
6112 tbl 16b
ORDER
PIN ID
37
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39
11C
40
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41
9C
42
11D
43
11B
44
10B
45
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10C
47
11A
48
Internal
49
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8B
51
7C
52
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53
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54
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55
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57
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59
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60
4A
61
5C
62
4B
63
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65
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66
3B
67
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68
1C
69
2B
70
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71
2C
72
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6112 tbl 17b
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PIN ID
73
3C
74
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75
1E
76
2E
77
2D
78
3F
79
1F
80
1G
81
2F
82
3G
83
2J
84
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85
2G
86
3K
87
1K
88
2K
89
3J
90
3L
91
1L
92
1M
93
2L
94
3N
95
2M
96
1N
97
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98
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99
1P
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2P
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102
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103
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5N
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6112 tbl 18b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDTIDT71P71604167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P71604200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P71604250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P71804167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
IDTIDT71P71804200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2
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IDT71P71804S167BQG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71P71804S200BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71P71804S200BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤