參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71P73804
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
中文描述： 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4
文件頁數(shù)： 11/25頁
文件大小： 648K
代理商： IDT71P73804
6.42
11
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Absolute Maximum Ratings
(1)(2)
Symbol
Rating
Value
Unit
V
TERM
Supply Voltage on V
DD
wth
Respect to GND
–0.5 to +2.9
V
V
TERM
Supply Voltage on V
DDQ
wth
Respect to GND
–0.5 to V
DD
+0.3
V
V
TERM
Voltage on Input termnals wth
respect to GND
–0.5 to V
DD
+0.3
V
V
TERM
Voltage on Input, Output and I/O
termnals wth respect to GND
–0.5 to V
DDQ
+0.3
V
T
BIAS
Temperature Under Bias
–55 to +125
°C
T
STG
Storage Temperature
–65 to +150
°C
I
OUT
Continuous Current into Outputs
+ 20
mA
6431 tbl 05
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximumrating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. VDDQ must not exceed VDD during normal operation.
Capacitance
(T
A
= +25°C, f = 1.0MHz)
(1)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
DD
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
5
pF
C
CLK
Clock Input Capacitance
6
pF
C
O
Output Capacitance
7
pF
C
DQ
DQ I/O Capacitance
7
pF
6431 tbl 06
NOTE:
1. Tested at characterization and retested after any design or process change that
may affect these parameters.
Recommended DC Operating and
Temperature Conditions
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
Power Supply Voltage
1.7
1.8
1.9
V
V
DDQ
I/O Supply Voltage
1.4
1.5
1.9
V
V
SS
Ground
0
0
0
V
V
REF
Input Reference
Voltage
0.68
V
DDQ
/2
0.95
V
T
A
Ambient Temperature
(1)
0
25
70
o
c
6431 tbl 04
NOTE:
1. During production testing, the case temperature equals the ambient
temperature.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71P73804167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73804200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73804250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P74104 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71P74104S167BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
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參數(shù)描述
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IDT71P73804S167BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73804S200BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73804S200BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
IDT71P73804S250BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
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