參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71P73804
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
中文描述： 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩4
文件頁(yè)數(shù)： 9/25頁(yè)
文件大?。?/td> 648K
代理商： IDT71P73804
6.42
9
IDT71P73204 (2M x 8-Bit), 71P73104 (2M x 9-Bit), 71P73804 (1M x 18-Bit) 71P73604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Write Descriptions
(1,2)
NOTES:
1)
All byte write
(
BW
x)
and nibble write
(
NW
x)
signals are sampled on
the rising edge of K and again on
K
. The data that is present on the data
bus in the designated byte/nibble will be latched into the input if the
corresponding
BW
x or
NW
x is held low The rising edge of K will sample
the first and third bytes/nibbles of the four word burst and the rising edge
of
K
will sample the second and fourth bytes/nibbles of the four word
burst.
2) The availability of the
BW
x or
NW
x on designated devices is de-
scribed in the pin description table.
3) The DDRII Burst of four SRAMhas data forwarding. A read request
that is initiated on the cycle following a write request to the same address
will produce the newly written data in response to the read request.
Signal
BW
0
BW
1
BW
2
BW
3
NW
0
NW
1
Write Byte 0
L
X
X
X
X
X
Write Byte 1
X
L
X
X
X
X
Write Byte 2
X
X
L
X
X
X
Write Byte 3
X
X
X
L
X
X
Write Nibble 0
X
X
X
X
L
X
Write Nibble 1
X
X
X
X
X
L
6431 tbl 09
Linear Burst Sequence Table
(1,2)
SA [1:0]
a
b
c
d
00
00
01
10
11
01
01
10
11
00
10
10
11
00
01
11
11
00
01
10
6431 tbl 22
NOTES:
1.
SA [1:0] is the address presented on pins SA1 and SA0 giving the burst sequence a,b,c,d.
2. SA0 and SA1 are only available on the x18 and x36-bit devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71P73804167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73804200BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P73804250BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4
IDT71P74104 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
IDT71P74104S167BQ 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71P73804S167BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
IDT71P73804S167BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
IDT71P73804S200BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
IDT71P73804S200BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
IDT71P73804S250BQ 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*