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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71P74204S200BQ |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| 中文描述： | 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | IDT71P74204S200BQ |
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6.42
14
IDT71P74204 (2M x 8-Bit), 71P74104 (2M x 9-Bit), 71P74804 (1M x 18-Bit) 71P74604 (512K x 36-Bit) Advance Information
18 Mb QDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Timing Waveform of Combined Read and Write Cycles
K
K
1
2
3
R
SA
Q
tKHCH
tKHKL
tKHIX
tIVKH
tKHAX
tAVKH
C
C
CQ
CQ
tCHQX
tCHQX1
tKLKH
tCHCQV
tCHCQX
W
D
tDVKH
tDVKH
4
5
6
7
tKLKH
tKHKH
tKH
K
H
A2
A1
A0
A3
tKHDX
tKHDX
D10
D12
Qx3
tCHQV
tCHQV
tCHQX
tCQHQV
tKHCH
tKHKH
tKH
K
H
tKHKL
tCHCQX
tCHCQV
NOP
Read A0
Write A1
Write A3
Read A2
NOP
tKHIX
tIVKH
D11
D13
D30
D32
D31
D33
Qx2
Q00
Q01
Q02
Q03
Q20
Q21
Q22
Q23
tCHQZ
NOP
6111drw09
.
tCQHQX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71P74204S250BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74204S300BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74204S333BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604 | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S167BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71P74604S167BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S167BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S167BQG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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