參數(shù)資料
型號: IDT71P74204S250BQ
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4
中文描述: 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù): 16/22頁
文件大?。?/td> 592K
代理商: IDT71P74204S250BQ
6.42
16
IDT71P74204 (2M x 8-Bit), 71P74104 (2M x 9-Bit), 71P74804 (1M x 18-Bit) 71P74604 (512K x 36-Bit) Advance Information
18 Mb QDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Part
Instrustion Register
Bypass Register
ID Register
Boundry Scan
512Kx36
3 bits
1 bit
32 bits
107 bits
1Mx18
3 bits
1 bit
32 bits
107 bits
2Mx8/x9
3 bits
1 bit
32 bits
107 bits
6111 tbl 14
INSTRUCTION FIELD
ALL DEVICES
DESCRIPTION
PART NUMBER
Revision Number (31:29)
000
Revision Number
Device ID (28:12)
0 0000 0010 0100 0000
0 0000 0010 0100 0001
0 0000 0010 0100 0010
0 0000 0010 0100 0011
512Kx36 QDRII BURST OF 4
1Mx18
2Mx9
2Mx8
71P74604S
71P74804S
71P74104S
71P74204S
IDT JEDEC ID CODE (11:1)
000 0011 0011
Allows unique identification of SRAM
vendor
ID Register Presence
Indicator (0)
1
Indicates the presence of an ID register
6111 tbl 15
Scan Register Definition
Identification Register Definitions
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IDT71P74604S167BQ8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤
IDT71P74604S167BQG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤
IDT71P74604S167BQG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA(7x7) 包裝:托盤
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