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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71P74604S167BQ |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| 中文描述： | 512K X 36 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 10/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | IDT71P74604S167BQ |
6.42
10
IDT71P74204 (2M x 8-Bit), 71P74104 (2M x 9-Bit), 71P74804 (1M x 18-Bit) 71P74604 (512K x 36-Bit) Advance Information
18 Mb QDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Application Example
SRAM #1
SA
W BW
0
BW
1
C
Q
ZQ
250
R
D
K
K
C
Data In
Data Out
R
W
MEMORY
CONTROLLER
Return CLK
Source CLK
Return
CLK
Source
CLK
R = 50
R
V
T
= V
REF
R
R
R
R
6111drw20
V
T
Address
R
V
T
R
V
T
R
SRAM #4
SA
W BW
0
BW
1
C
Q
K
ZQ
250
W
R
D
K
C
BWx
/
NWx
V
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71P74604S200BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S250BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S300BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S333BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74804 | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71P74604S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S167BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S167BQG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S200BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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