- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377329 > IDT71P74604S167BQ (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71P74604S167BQ |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| 中文描述： | 512K X 36 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 19/22頁 |
| 文件大小： | 592K |
| 代理商： | IDT71P74604S167BQ |
6.42
19
IDT71P74204 (2M x 8-Bit), 71P74104 (2M x 9-Bit), 71P74804 (1M x 18-Bit) 71P74604 (512K x 36-Bit) Advance Information
18 Mb QDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Output Power S upply
V
DDQ
1.4
-
1.9
V
Power Supply Voltage
V
DD
1.7
1.8
1.9
V
Input High Level
V
IH
1.3
-
V
DD
+0.3
V
Input Low Level
V
IL
-0.3
-
0.5
V
Output High Voltage (IOH = -1mA)
V
OH
V
DDQ
- 0.2
-
V
DDQ
V
1
Output Low Voltage (IOL = 1mA)
NOTE:
1. The output impedance of TDO is set to 50 ohms (nomnal process) and does not vary with the external resistor connected to ZQ.
V
OL
V
SS
-
0.2
V
1
6111 tbl 19
Parameter
Symbol
Mn
Unit
Note
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
1.3/0.5
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timng Reference Level
NOTE:
1. See AC test load on page 12.
V
DDQ
/2
V
1
6111 tbl 20
JTAG DC Operating Conditions
JTAG AC Test Conditions
Parameter
Symbol
Mn
Max
Unt
Note
TCK Cycle Time
t
CHCH
50
-
ns
TCK High Puse Width
t
CHCL
20
-
ns
TCK LowPulse Width
t
CLCH
20
-
ns
TMS Input Setup Time
t
MVCH
5
-
ns
TMS Input Hold Time
t
CHMX
5
-
ns
TDI Input Setup Time
t
DVCH
5
-
ns
TDI Input Hold Time
t
CHDX
5
-
ns
SRAMInput Setup Time
t
SVCH
5
-
ns
SRAMInput Hold Time
t
CHSX
5
-
ns
Clock Lowto Output Valid
t
CLQV
0
10
ns
6111 tbl.21
JTAG AC Characteristics
JTAG Timing Diagram
6111 drw 19
TCK
TMS
t
CHCH
TDI/
SRAM
Inputs
TDO
t
MVCH
t
DVCH
t
SVCH
t
CHCL
t
C HMX
t
C HDX
t
C HSX
t
CLCH
t
CLQV
SRAM
Outputs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71P74604S200BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S250BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S300BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S333BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74804 | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71P74604S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S167BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S167BQG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S200BQ | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| IDT71P74604S200BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。