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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71P79204 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2 |
| 文件頁數(shù)： | 19/23頁 |
| 文件大小： | 641K |
| 代理商： | IDT71P79204 |
6.42
19
IDT71P79204 (2Mx8-Bit), 71P79104 (2Mx9-Bit), 71P79804 (1Mx18-Bit) 71P79604 (512Kx36-Bit)
18 Mb DDR II SIO SRAM Burst of 2 Commercial and Industrial Temperature Ranges
JTAG DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Mn
Typ
Max
Unit
Note
Output Power Supply
V
DDQ
1.4
-
1.9
V
Power Supply Voltage
V
DD
1.7
1.8
1.9
V
Input High Level
V
IH
1.3
-
V
DD
+ 0.3
V
Input LowLevel
V
IL
- 0.3
-
0.5
V
TCK Input Leakage Current
I
IL
- 5
-
+ 5
uA
TMS, TDI Input Leakage Current
I
IL
- 15
-
+ 15
uA
TDO Output Leakage Current
I
OL
- 5
-
+ 5
uA
Output High Voltage (IOH = -1mA)
V
OH
V
DDQ
- 0.2
-
V
DDQ
V
1
Output LowVoltage (IOL = 1mA)
NOTE:
1. The output impedance of TDO is set to 50 ohms (nomnal process) and does not vary with the external resistor
connected to ZQ.
V
OL
V
SS
-
0.2
V
1
6432 tbl 19
Parameter
Symbol
Min
Unit
Note
Input High Level
V
IH
1.8
V
Input Low Level
V
IL
0
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timng Reference Level
0.9
V
1
JTAG AC Test Conditions
Note: 1.
For SRAMoutputs see AC test output load on page 13.
JTAG Input Test WaveForm
JTAG Output Test WaveForm
JTAG AC Test Load
6432 drw 23
0.9 V
0.9 V
Test points
1.8 V
0 V
6432 drw 23a
0.9 V
0.9 V
Test points
0.9 V
50
ohm
TDO
Z
0
= 50
ohm
6109 drw 24
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71P79604 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDT71P79804 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104167BQI | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71P79804S167BQI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71P79804S167BQI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71P79804S250BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71P79804S250BQG8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71P79804S250BQGI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
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