參數(shù)資料
型號： IDT71T016SA12PH
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
中文描述： 64K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-44
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： IDT71T016SA12PH
6.42
IDT71T016SA, 2.5V CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
71T016SA10
(2)
71T016SA12
71T016SA15
71T016SA20
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
10
____
12
____
15
____
20
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
10
____
12
____
15
____
20
ns
t
ACS
Chip Select Access Time
____
10
____
12
____
15
____
20
ns
t
CLZ
(1)
Chip Select Low to Output in Low-Z
4
____
4
____
5
____
5
____
ns
t
CHZ
(1)
Chip Select High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
6
____
8
ns
t
OE
Output Enable Lowto Output Valid
____
5
____
6
____
7
____
8
ns
t
OLZ
(1)
Output Enable Low to Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OHZ
(1)
Output Enable High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
6
____
8
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
4
—
4
—
4
—
4
—
ns
t
BE
Byte Enable Lowto Output Valid
—
5
—
6
—
7
____
8
ns
t
BLZ
(1)
Byte Enable Lowto Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
BHZ
(1)
Byte Enable High to Output in High-Z
____
5
____
6
____
6
____
8
ns
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
10
____
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
Address Valid to End of Write
7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
CW
Chip Select Lowto End of Write
7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
BW
Byte Enable Lowto End of Write
7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Address Hold fromEnd of Write
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
DW
Data Valid to End of Write
5
____
6
____
7
____
9
____
ns
t
DH
Data Hold Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
(1)
Write Enable High to Output in Low-Z
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
WHZ
(1)
Write Enable Low to Output in High-Z
____
5
____
6
____
6
____
8
ns
5326 tbl 10
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1,2,3)
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3.
OE
,
BHE
, and
BLE
are LOW.
AC Electrical Characteristics
(V
DD
= Mn. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
NOTES:
1. This parameter is guaranteed with the AC Load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
2. 0
0
C to +70
0
C temperature range only.
DATA
OUT
ADDRESS
5326 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
VALID
PREVIOUS DATA
OUT
VALID
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71T016SA12PHI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA12Y 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA15BF 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA15BFI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71V124SA15PHI 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
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參數(shù)描述
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IDT71T016SA12PHI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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