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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V124SA12Y |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | IDT71V124SA12Y |
6.42
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3. Address must be valid prior to or coincident with the later of
CS
transition LOW; otherwise t
AA
is the limting parameter.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured ±200mV fromsteady state.
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1)
Timing Waveform of Read Cycle No. 2
(1, 2, 4)
ADDRESS
3873 drw 05
OE
CS
DATA
OUT
(5)
(5)
(5)
(5)
DATA
OUT
VALID
HIGH IMPEDANCE
t
AA
t
RC
t
OE
t
ACS
t
OLZ
t
CHZ
t
CLZ
(3)
t
OHZ
.
DATA
OUT
ADDRESS
3873 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
VALID
PREVIOUS DATA
OUT
VALID
.
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PDF描述 |
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