參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V124SA20Y
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： IDT71V124SA20Y
6.42
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Commercial and Industrial Temperature Ranges
+1.5V
50
I/O
Z
0
= 50
3873 drw 03
30pF
.
*Including jig and scope capacitance.
Figure 2. AC Test Load
(for t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW,
and t
WHZ
)
Figure 1. AC Test Load
AC Test Conditions
DC Electrical Characteristics
(1, 2)
(V
DD
= Min. to Max., V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
0.2V)
3873 drw 04
320
350
5pF*
DATA
OUT
3.3V
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. All inputs switch between 0.2V (Low) and V
DD
–0.2V (High).
3. f
MAX
= 1/t
RC
(all address inputs are cycling at f
MAX
)
;
f = 0 means no address input lines are changing.
Symbol
Parameter
71V124SA10
71V124SA12
71V124SA15
71V124SA20
Unit
Coml
Ind
Coml
Ind
Coml
Ind
Coml
Ind
I
CC
Dynamc Operating Current
CS
< V
LC
, Outputs Open, V
DD
= Max., f = f
MAX
(3)
145
150
130
140
100
120
95
115
mA
I
SB
Dynamc Standby Power Supply Curren
t
CS
> V
HC
, Outputs Open, V
DD
= Max., f = f
MAX
(3)
45
50
40
40
35
40
30
35
mA
I
SB1
Full Standby Power Supply Current (static)
CS
> V
HC
, Outputs Open, V
DD
= Max., f = 0
(3)
10
10
10
10
10
10
10
10
mA
3873 tbl 06
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
See Figure 1 and 2
3873 tbl 07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V124SA20YI 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA10TYI 240 x 320 pixel format (portrait mode), Compact LCD size
IDT71V124SA12TYI 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA12Y 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V124SA20Y8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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