參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V124SA20YI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： IDT71V124SA20YI
4
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V
DD
= Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
NOTES:
1. This parameter guaranteed with the AC load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
Symbol
Parameter
71V124SA10
71V124SA12
71V124SA15
71V124SA20
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
10
____
12
____
15
____
20
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
10
____
12
____
15
____
20
ns
t
ACS
Chip Select Access Time
____
10
____
12
____
15
____
20
ns
t
CLZ
(1)
Chip Select to Output in Low-Z
4
____
4
____
4
____
4
____
ns
t
CHZ
(1)
Chip Deselect to Output in High-Z
0
5
0
6
0
7
0
8
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
____
5
____
6
____
7
____
8
ns
t
OLZ
(1)
Output Enable to Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OHZ
(1)
Output Disable to Output in High-Z
0
5
0
5
0
5
0
7
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
4
____
4
____
4
____
4
____
ns
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
10
____
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
CW
Chip Select to End-of-Write
7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
7
____
8
____
10
____
12
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
5
____
6
____
7
____
9
____
ns
t
DH
Data Hold Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
OW
(2)
Output Active fromEnd-of-Write
3
____
3
____
3
____
4
____
ns
t
WHZ
(2)
Write Enable to Output in High-Z
0
5
0
5
0
5
0
8
ns
3873 tbl 08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V124SA10TYI 240 x 320 pixel format (portrait mode), Compact LCD size
IDT71V124SA12TYI 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA12Y 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA10 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V124SA20YI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V2546S100BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V2546S100BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V2546S100BGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 100MHZ 119BGA
IDT71V2546S100BGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 100MHZ 119BGA
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*