參數(shù)資料
型號(hào): IDT71V2577SA85PF
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
元件分類: 通用總線功能
英文描述: 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
中文描述: 128K的x 36256畝× 18 3.3同步SRAM的2.5VI / O的流量通過輸出脈沖計(jì)數(shù)器,單周期取消
文件頁(yè)數(shù): 7/22頁(yè)
文件大?。?/td> 304K
代理商: IDT71V2577SA85PF
6.42
IDT71V2577, IDT71V2579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 256K x 18, 119 BGA
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
1
Top View
Top View
NOTES:
1. R5 does not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL
.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to V
SS
, V
DD
or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
ADSP
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CS
0
A
3
ADSC
A
9
CS
1
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
CE
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
ADV
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
GW
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
BWE
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
NC
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
ZZ
(3)
U
V
DDQ
V
DDQ
4877 drw 02c
NC
V
SS
,
NC/TMS
(2)
NC/TDI
(2)
NC/TCK
(2)
NC/TDO
(2)
NC/
TRST
(2,4)
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
ADSP
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CS
0
A
3
ADSC
A
9
CS
1
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
7
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
CE
V
SS
NC
I/O
6
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
5
V
DDQ
G
NC
I/O
10
ADV
BW
2
NC
I/O
4
H
I/O
11
NC
V
SS
GW
V
SS
I/O
3
NC
J
V
DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
2
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
1
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
BWE
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
0
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
NC
A
12
V
SS
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
ZZ
(3)
U
V
DDQ
V
DDQ
4877 drw 02d
NC
V
SS
V
SS
,
NC/TMS
(2)
NC/TDI
(2)
NC/TCK
(2)
NC/TDO
(2)
NC/
TRST
(2,4)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V2577SA85PFI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2577YS75BG 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2577YS75BGI 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
IDT71V2577YS75BQ 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Single Cycle Deselect
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V2578S133BGGI 制造商:INT-DEV 功能描述:
IDT71V30L25TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30L25TFG 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V30L25TFG8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)