- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377338 > IDT71V25781S200BG (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V25781S200BG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 7/23頁 |
| 文件大小： | 526K |
| 代理商： | IDT71V25781S200BG |
6.42
IDT71V25761, IDT71V25781, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 256K x 18, 119 BGA
1
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Top View
Top View
NOTES:
1. R5 can either be directly connected to V
DD
, or connected to an input voltage
≥
V
IH
, or left unconnected.
2. L4 and U4 can be either NC or connected to V
SS
.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4. DNU = Do not use; Pins U2, U3, U4, U5 and U6 are reserved for respective JTAG Pins: TMS, TDI, TCK, TDO and
TRST
. Within the current version, these
pins are left unconnected.
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
ADSP
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CS
0
A
3
ADSC
A
9
CS
1
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
CE
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
ADV
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
GW
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
(2)
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
BWE
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
ZZ
(3)
U
V
DDQ
DNU
(4)
DNU
(4)
DNU
(2,4)
DNU
(4)
DNU
(4)
V
DDQ
5297 drw 04
V
DD
/ NC
(1)
NC
NC
,
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
ADSP
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
C
NC
CS
0
A
3
ADSC
A
9
CS
1
NC
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
7
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
CE
V
SS
NC
I/O
6
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
5
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
ADV
NC
I/O
4
H
I/O
11
NC
V
SS
GW
V
SS
I/O
3
NC
J
V
DDQ
V
DD
NC
V
DD
NC
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
2
L
I/O
13
NC
NC
(2)
BW
1
I/O
1
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
BWE
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
0
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
ZZ
(3)
U
V
DDQ
DNU(4)
DNU(2,4)
DNU(4)
DNU(4)
V
DDQ
5297 drw 05
V
DD / NC(1)
NC
V
SS
V
SS
,
DNU(4)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V25781S200BGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2578YS133BQI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2576YSA133BQ | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2576YSA133BQI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V2576YSA133PF | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V2578S133BGGI | 制造商:INT-DEV 功能描述: |
| IDT71V30L25TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30L25TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V30L25TFG | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V30L25TFG8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。