- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377349 > IDT71V321S35JI (Integrated Device Technology, Inc.) HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V321S35JI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 的高速中斷3.3V的2K × 8雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | IDT71V321S35JI |
第1頁(yè)第2頁(yè)當(dāng)前第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)
6.42
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts Industrial and Commercial Temperature Ranges
3
#$$%"
$
&'(#
!
#$$%"
"$"")*
!
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only
and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operational sections of the specification is not
implied. Exposure to absolute maximumrating conditions for extended
periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed V
CC
+ 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> V
CC
+ 10%.
NOTES:
1. V
IL
(mn.) = -1.5V for pulse width less than 20ns.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 0.3V.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your
sales office.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +4.6
V
T
A
Operating
Temperature
0 to +70
°C
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
mA
3026 tbl 01
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
3026 tbl 02
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
CC
+0.3
(2)
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
3026 tbl 03
"
+,-.+/'01!2%)
!
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
3026 tbl 04
NOTES:
1. This parameter is determned by device characterization but is not production
tested.
2. 3dv references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
34%54%"
"$"")*#
*
+ / *6/ *!
Symbol
Parameter
Test Conditions
71V321S
71V421S
71V321L
71V421L
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 3.6V,
V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
V
CC
= 3.6V
___
10
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
3026 tbl 05
NOTE:
1. At V
CC
< 2.0V input leakages are undefined.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V321S35PF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S35PFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S35TF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S35TFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V321S55J | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V321S35PF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V321S35TF | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V321S35TF8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V321S55J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。