參數(shù)資料
型號: IDT71V321S55PFI
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
中文描述: 的高速中斷3.3V的2K × 8雙端口靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 10/14頁
文件大小: 129K
代理商: IDT71V321S55PFI
6.42
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts Industrial and Commercial Temperature Ranges
BUSY
:!
85
BUSY
&$&)
CE
!
85
&)$$'4
BUSY
&$
!
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
A
may be either left or right port. Port
B
is the opposite fromport
A
.
2. If t
APS
is not satisified, the
BUSY
will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side
BUSY
will be asserted (71V321 only).
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (71V421, slave) or output (71V321, master).
2.
BUSY
is asserted on port 'B' blocking R/
W
'
B'
, until
BUSY
'B'
goes HIGH.
3. t
WB
is for the slave version (71V421).
4. All timng is the same for the left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is oppsite fromport "A".
858>4
BUSY
"B"
3026 drw 11
R/
W
"A"
t
WP
t
WH
t
WB
R/
W
"B"
(2)
(1)
(3)
,
t
APS
(2)
ADDR
"A" AND "B"
ADDRESSES MATCH
t
BAC
t
BDC
CE
"B"
CE
"A"
BUSY
"A"
3026 drw 12
BUSY
"B"
ADDRESSES DO NOT MATCH
ADDRESSES MATCH
t
APS
ADDR
"A"
ADDR
"B"
t
RC OR
t
WC
3026 drw 13
(2)
t
BAA
t
BDA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V321S55TF HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V321S55TFI HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V421L35PFI HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V421L35TF HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT71V421L35TFI HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V321S55TF 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V321S55TF8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V3556S100BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100BGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI