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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V321S55PFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 的高速中斷3.3V的2K × 8雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | IDT71V321S55PFI |
6.42
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts Industrial and Commercial Temperature Ranges
7
34%54
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:!
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.
3. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the RAMunder all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary over
voltage and temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
5. For Master/Slave combination, t
WC
= t
BAA
+ t
WP
, since R/
W
= V
IL
must occur after t
BAA
.
Symbol
Parameter
71V321X25
71V421X25
Com'l
& Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l Only
71V321X55
71V421X55
Com'l Only
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
(5)
25
____
35
____
55
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
20
____
30
____
40
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
20
____
30
____
40
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
20
____
30
____
40
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
12
____
20
____
20
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
12
____
15
____
30
ns
t
DH
Data Hold Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
15
____
15
____
30
ns
t
OW
Output Active from End-of-Write
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
3026 tbl 10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V321S55TF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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