參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3556S100PFGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 5 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 1/28頁(yè)
文件大小： 1010K
代理商： IDT71V3556S100PFGI
SEPTEMBER 2004
DSC-5281/08
1
2004 Integrated Device Technology, Inc.
Pin Description Summary
Description
The IDT71V3556/58 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-
bit) synchronous SRAMS. They are designed to elimnate dead bus
cycles when turning the bus around between reads and writes, or
writes and reads. Thus, they have been given the name ZBT
TM
, or
Zero Bus Turnaround.
Address and control signals are applied to the SRAMduring one
clock cycle, and two cycles later the associated data cycle occurs, be it
read or write.
The IDT71V3556/58 contain data I/O, address and control signal
registers. Output enable is the only asynchronous signal and can be used
to disable the outputs at any given time.
A Clock Enable (
CEN
) pin allows operation of the IDT71V3556/58
to be suspended as long as necessary. All synchronous inputs are
ignored when (
CEN
) is high and the internal device registers will hold
their previous values.
There are three chip enable pins (
CE
1
, CE
2
,
CE
2
) that allow the user
to deselect the device when desired. If any one of these three are not
asserted when ADV/
LD
is low, no new memory operation can be
initiated. However, any pending data transfers (reads or writes) will be
completed. The data bus will tri-state two cycles after chip is deselected
or a write is initiated.
Features
N
128K x 36, 256K x 18 memory configurations
N
Supports high performance system speed - 200 MHz
(3.2 ns Clock-to-Data Access)
N
ZBT
TM
Feature - No dead cycles between write and read
cycles
N
Internally synchronized output buffer enable eliminates the
need to control
OE
N
Single R/
W
(READ/WRITE) control pin
N
Positive clock-edge triggered address, data, and control
signal registers for fully pipelined applications
N
4-word burst capability (interleaved or linear)
N
Individual byte write (
BW
1
-
BW
4
) control (May tie active)
N
Three chip enables for simple depth expansion
N
3.3V power supply (±5%), 3.3V I/O Supply (V
DDQ)
N
Optional- Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1
compliant)
N
Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch
ball grid array (fBGA)
A
0
-A
17
Address Inputs
Input
Synchronous
CE
1
, CE
2
,
CE
2
Chip Enables
Input
Synchronous
OE
Output Enable
Input
Asynchronous
R/
W
Read/Write Signal
Input
Synchronous
CEN
Clock Enable
Input
Synchronous
BW
1
,
BW
2
,
BW
3
,
BW
4
Individual Byte Write Selects
Input
Synchronous
CLK
Clock
Input
N/A
ADV/
LD
Advance burst address / Load newaddress
Input
Synchronous
LBO
Linear / Interleaved BurstOrder
Input
Static
TMS
Test Mode Select
Input
Synchronous
TDI
Test Data Input
Input
Synchronous
TCK
Test Clock
Input
N/A
TDO
Test Data Output
Output
Synchronous
TRST
JTAG Reset (Optional)
Input
Asynchronous
ZZ
Sleep Mode
Input
Synchronous
I/O
0
-I/O
31
, I/O
P1
-I/O
P4
Data Input / Output
I/O
Synchronous
V
DD
, V
DDQ
Core Power I/O Power
Supply
Static
V
SS
Ground
Supply
Static
5281 tbl 01
IDT71V3556S
IDT71V3558S
IDT71V3556SA
IDT71V3558SA
128K x 36, 256K x 18
3.3V Synchronous ZBT SRAMs
3.3V I/O, Burst Counter
Pipelined Outputs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3556S133BGGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S133BQG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S133BQGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S133PFGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S166BGGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT71V3556S100PFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S100PFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S133BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V3556S133BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71V3557SA75BGI
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