參數(shù)資料
型號(hào): IDT71V3556S100PFGI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述: 128K X 36 ZBT SRAM, 5 ns, PQFP100
封裝: 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù): 4/28頁(yè)
文件大?。?/td> 1010K
代理商: IDT71V3556S100PFGI
6.42
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Functional Block Diagram
Recommended DC Operating
Conditions
NOTES:
1. V
IL
(mn.) = –1.0V for pulse width less than t
CYC
/2, once per cycle.
2. V
IH
(max.) = +6.0V for pulse width less than t
CYC
/2, once per cycle.
Clk
D
Q
D
Q
D
Q
Address A [0:17]
Control Logic
Address
Control
DI
DO
I
5281 drw 01b
Clock
Data I/O [0:15],
I/O P[1:2]
D
Q
C
Output Register
Mux
Sel
Gate
OE
CE
1, CE2,
CE
2
R/
W
CEN
ADV/
LD
BW
x
LBO
256x18 BIT
MEMORY ARRAY
,
JTAG
(SA Version)
TMS
TDI
TCK
(optional)
TDO
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
Core Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
V
DDQ
I/O Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
V
SS
Supply Voltage
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage - Inputs
2.0
____
V
DD
+0.3
V
V
IH
Input High Voltage - I/O
2.0
____
V
DDQ
+0.3
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
5281 tbl 04
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PDF描述
IDT71V3556S133BGGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S133BQG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S133BQGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
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IDT71V3556S100PFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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