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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V3559S80BGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 996K |
| 代理商： | IDT71V3559S80BGI |
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6.42
12
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Read Operation
(1)
CEN
BW
x
Burst Write Operation
(1)
Burst Read Operation
(1)
Write Operation
(1)
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
2
timng transition is identical to
CE
1
signal. CE
2
timng transition is identical but inverted to the
CE
1
and
CE
2
signals.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
2
timng transition is identical to
CE
1
signal. CE
2
timng transition is identical but inverted to the
CE
1
and
CE
2
signals.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
2
timng transition is identical to
CE
1
signal. CE
2
timng transition is identical but inverted to the
CE
1
and
CE
2
signals.
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
2
timng transition is identical to
CE
1
signal. CE
2
timng transition is identical but inverted to the
CE
1
and
CE
2
signals.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
1
(2)
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
X
X
X
X
L
Q
0
Contents of Address A
0
Read Out
5282 tbl 13
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
1
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
H
X
L
X
L
Q
0
Address A
0
Read Out, Inc. Count
n+2
X
X
H
X
L
X
L
Q
0+1
Address A
0+1
Read Out, Inc. Count
n+3
X
X
H
X
L
X
L
Q
0+2
Address A
0+2
Read Out, Inc. Count
n+4
X
X
H
X
L
X
L
Q
0+3
Address A
0+3
Read Out, Load A
1
n+5
A
1
H
L
L
L
X
L
Q
0
Address A
0
Read Out, Inc. Count
n+6
X
X
H
X
L
X
L
Q
1
Address A
1
Read Out, Inc. Count
n+7
A
2
H
L
L
L
X
L
Q
1+1
Address A
1+1
Read Out, Load A
2
5282 tbl 14
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
1
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
L
L
L
L
L
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
X
X
L
X
X
D
0
Write to Address A
0
5282 tbl 15
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
1
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
L
L
L
L
L
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
H
X
L
L
X
D
0
Address A
0
Write, Inc. Count
n+2
X
X
H
X
L
L
X
D
0+1
Address A
0+1
Write, Inc. Count
n+3
X
X
H
X
L
L
X
D
0+2
Address A
0+2
Write, Inc. Count
n+4
X
X
H
X
L
L
X
D
0+3
Address A
0+3
Write, Load A
1
n+5
A
1
L
L
L
L
L
X
D
0
Address A
0
Write, Inc. Count
n+6
X
X
H
X
L
L
X
D
1
Address A
1
Write, Inc. Count
n+7
A
2
L
L
L
L
L
X
D
1+1
Address A
1+1
Write, Load A
2
5282 tbl 16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3559S80BQ | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559S80BQI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
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| IDT71V3557S85BG | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3557S85BGI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3559S80BGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3559S80BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3559S80BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3559S80BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán) |
| IDT71V3559S80BQI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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