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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V3559S80BGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 8/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 996K |
| 代理商： | IDT71V3559S80BGI |
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6.42
8
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 128K x 36, 165 fBGA
Pin Configuration - 256K x 18, 165 fBGA
1
2
3
NOTES:
1. H1 and N7 do not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL.
2. H2 does not have to be directly connected directly to V
DD
as long as the input voltage is
≥
V
IH
.
3. A9, B9, B11, A1, R2, and P2 are reserved for future 9M 18M 36M 72M 144M and 288Mrespectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
6. Pin H11 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
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A
NC
(3)
A
7
CE
1
BW
3
BW
2
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(3)
A
8
NC
B
NC
A
6
CE
2
BW
4
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
(3)
A
9
NC
(3)
C
I/O
P3
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P2
D
I/O
17
I/O
16
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
14
E
I/O
19
I/O
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V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
13
I/O
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F
I/O
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I/O
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V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
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I/O
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G
I/O
23
I/O
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V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
H
V
SS
(1)
V
DD
(2)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(6)
J
I/O
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I/O
24
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
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DD
V
DDQ
I/O
7
I/O
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K
I/O
27
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26
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
L
I/O
29
I/O
28
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
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2
M
I/O
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I/O
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V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(4,5)
NC
V
SS
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(3)
A
5
A
2
NC/TDI
(4)
A
1
NC/TDO
(4)
A
10
A
13
A
14
NC
R
LBO
NC
(3)
A
4
A
3
NC/TMS
(4)
A
0
NC/TCK
(4)
A
11
A
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A
15
A
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5282tbl 25
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6
7
8
9
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A
NC
(3)
A
7
CE
1
BW
2
NC
CE
2
CEN
ADV
/LD
NC
(3)
A
8
A
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B
NC
A
6
CE
2
NC
BW
1
CLK
R/
W
OE
NC
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A
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NC
(3)
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
6
F
NC
I/O
10
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
5
G
NC
I/O
11
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
4
H
Vss
(1)
V
DD
(2)
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
NC/ZZ
(6)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
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NC
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DDQ
V
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V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
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NC
M
I/O
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NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(4,5)
NC
V
SS
(1)
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(3)
A
5
A
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NC/TDI
(4)
A
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NC/TDO
(4)
A
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NC
R
LBO
NC
(3)
A
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A
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NC/TMS
(4)
A
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NC/TCK
(4)
A
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A
13
A
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A
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5282 tbl 25a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3559S80BQ | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559S80BQI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559SA75BG | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3557S85BG | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3557S85BGI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3559S80BGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3559S80BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3559S80BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3559S80BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3559S80BQI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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