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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3559SA75BG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 996K |
| 代理商： | IDT71V3559SA75BG |
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6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
5
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Pin Configuration 128K x 36
NOTES:
1. Pins 14, 64, and 66 do not have to be connected directly to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL
.
2. Pin 16 does not have to be connected directly to V
DD
as long as the input voltage is > V
IH
.
3. Pins 83 and 84 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
4. Pin 64 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
Top View
100 TQFP
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90
87 86 85 84 83 82 81
89 88
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
A
6
A
7
1
C
2
B
4
B
3
B
2
B
1
C
2
V
D
V
S
C
R
W
C
O
A
L
N
(
N
(
A
8
A
9
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
N
L
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
V
D
V
S
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
I/O
31
I/O
P4
I/O
30
V
DDQ
V
SS
I/O
29
I/O
28
I/O
27
I/O
26
V
SS
V
DDQ
I/O
25
I/O
24
V
SS
V
DD
V
DD
(2)
I/O
23
V
SS
(1)
I/O
22
V
DDQ
V
SS
I/O
21
I/O
20
I/O
19
I/O
18
V
SS
V
DDQ
I/O
17
I/O
16
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
I/O
14
V
DDQ
V
SS
I/O
13
I/O
12
I/O
11
I/O
10
V
SS
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
V
SS
V
SS
(1)
V
DD
V
SS/ZZ
(1,4)
I/O
7
I/O
6
V
DDQ
V
SS
I/O
5
I/O
4
I/O
3
I/O
2
V
SS
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
I/O
P1
5282 drw02
I/O
15
I/O
P3
A
1
A
1
I/O
P2
,
N
N
N
Grade
Temperature
(1)
V
SS
V
DD
V
DDQ
Commercial
0°C to +70°C
0V
3.3V±5%
3.3V±5%
Industrial
-40°C to +85°C
0V
3.3V±5%
3.3V±5%
5282 tbl 05
NOTES:
1. T
A
is the "instant on" case temperature.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3557S85BG | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT71V3559SA75BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3559SA75BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3559SA75BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3559SA75BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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