參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3579YS85PFGI
廠(chǎng)商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Modular Connector; No. of Contacts:8; Approval Categories:Fire-Retardant UL 94V-0 Rated; Body Material:Plastic; Color:Black; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Termination:Punchdown RoHS Compliant: Yes
中文描述： 256K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 22/22頁(yè)
文件大?。?/td> 521K
代理商： IDT71V3579YS85PFGI
6.42
22
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
CORPORATE HEADQUARTERS
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Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6116
fax: 408-492-8674
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-544-7726, x4033
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
7/23/99
9/17/99
Updated to new format
Revised I/O pin description
Revised block diagramfor flow-through functionality
Revised I
SB1
and I
ZZ
for speeds 7.5 to 8.5ns
Added 119-lead BGA package diagram
Added Datasheet Document History
Added Industrial Temperature range offerings
Added 100pinTQFP Package DiagramOutline
Add capacitance table for BGA package; add Industrial temperature to table; Insert note to
Absolute Max Ratings and Recommended Operating Temperature tables
Add new package offering, 13 x 15mm165 fBGA
Correct 119BGA Package DiagramOutline
Add note reference to BG119 pinout
Add DNU reference note to BQ165 pinout
Update BG119 Package DiagramOutline Dimensions
Remove Prelimnary status
Add reference note to pin N5 on BQ165 pinout, reserved for JTAG
TRST
Updated 165 BGA table information fromTBD to 7
Updated datasheet with JTAG information
Removed note for NC pins (38,39(PF package); L4, U4 (BG package) H2, N7 (BQ package))
requiring NC or connection to Vss.
Added two pages of JTAG Specification, AC Electrical, Definitions and Instructions
Removed old package information fromthe datasheet
Updated ordering information with JTAG and Y stepping information. Added information
regarding packages available IDT website.
Addedd "restricted hazardous substance device" to ordering information.
Pg. 2
Pg. 3
Pg. 8
Pg. 18
Pg. 20
Pp. 1, 4, 8, 11, 19
Pg. 18
Pg. 4
12/31/99
04/03/00
06/01/00
Pg. 20
Pg. 7
Pg. 8
Pg. 20
07/15/00
10/25/00
Pg.8
Pg.4
Pg. 1,2,3,5-9
Pg. 5-8
04/22/03
06/30/03
Pg. 19,20
Pg. 21-23
Pg. 24
02/18/05
Pg. 21
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3577S75BGG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3579SA75BGG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3579S85BGG 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3579S85BGGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V3579S85BQGI 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V416L10BE 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT71V416L10BE8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
IDT71V416L10BEG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V416L10BEG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤(pán)
IDT71V416L10BEGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
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