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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3579YS85PFGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Modular Connector; No. of Contacts:8; Approval Categories:Fire-Retardant UL 94V-0 Rated; Body Material:Plastic; Color:Black; Contact Material:Phosphor Bronze; Contact Termination:Punchdown RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 7/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 521K |
| 代理商： | IDT71V3579YS85PFGI |
6.42
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
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U
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5280 drw 02d
NC
V
SS
V
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,
NC/TMS
(2)
NC/TDI
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NC/TCK
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NC/TDO
(2)
NC/
TRST
(2,4)
Pin Configuration 256K x 18, 119 BGA
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Top View
Top View
NOTES:
1. R5 does not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL
.
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to V
SS
, V
DD
or left floating.
3. T7 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4.
TRST
is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
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NC
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NC/TMS
(2)
NC/TDI
(2)
NC/TCK
(2)
NC/TDO
(2)
NC/
TRST
(2,4)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3577S75BGG | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579SA75BGG | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579S85BGG | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579S85BGGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579S85BQGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V416L10BE | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416L10BE8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA |
| IDT71V416L10BEG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V416L10BEG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416L10BEGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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