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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V3579YSA75BQG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 521K |
| 代理商： | IDT71V3579YSA75BQG |
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6.42
8
IDT71V3577, IDT71V3579, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration 256K x 18, 165 fBGA
Pin Configuration 128K x 36, 165 fBGA
NOTES:
1. H1 does not have to be directly V
SS
as long as input voltage is < V
IL
2. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version. Note: If NC, these pins can either be tied to V
SS
, V
DD
or left floating.
3. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
4. Pins P11, N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 9M 18M 36M 72M 144Mand 288Mrespectively.
5.
TRST
is offered as an optional JTAG Reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD
.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(4)
A
7
CE
1
BW
3
BW
2
CS
1
BWE
ADSC
ADV
A
8
NC
B
NC
A
6
CS
0
BW
4
BW
1
CLK
GW
OE
ADSP
A
9
NC
(4)
C
I/O
P3
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P2
D
I/O
17
I/O
16
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
15
I/O
14
E
I/O
19
I/O
18
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
F
I/O
21
I/O
20
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
11
I/O
10
G
I/O
23
I/O
22
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
9
I/O
8
H
V
SS
(1)
NC
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
ZZ
(3)
J
I/O
25
I/O
24
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
7
I/O
6
K
I/O
27
I/O
26
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
L
I/O
29
I/O
28
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
I/O
2
M
I/O
31
I/O
30
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
I/O
0
N
I/O
P4
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(2,5)
NC
(4)
NC
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
P
NC
NC
(4)
A
5
A
2
NC/TDI
(2)
A
1
NC/TDO
(2)
A
10
A
13
A
14
NC
(4)
R
LBO
NC
(4)
A
4
A
3
NC/TMS
(2)
A
0
NC/TCK
(2)
A
11
A
12
A
15
A
16
5280 tbl 17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
NC
(4)
A
7
CE
1
BW
2
NC
CS
1
BWE
ADSC
ADV
A
8
A
10
B
NC
A
6
CS
0
NC
BW
1
CLK
GW
OE
ADSP
A
9
NC
(4)
C
NC
NC
V
DDQ
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DDQ
NC
I/O
P1
D
NC
I/O
8
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
7
E
NC
I/O
9
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
6
F
NC
I/O
10
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
5
G
NC
I/O
11
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
NC
I/O
4
H
V
SS
(1)
NC
NC
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
NC
NC
ZZ
(3)
J
I/O
12
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
3
NC
K
I/O
13
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
2
NC
L
I/O
14
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
1
NC
M
I/O
15
NC
V
DDQ
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DDQ
I/O
0
NC
N
I/O
P2
NC
V
DDQ
V
SS
NC/
TRST
(2,5)
NC
(4)
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
P
NC
NC
(4)
A
5
A
2
NC/TDI
(2)
A
1
NC/TDO
(2)
A
11
A
14
A
15
NC
(4)
R
LBO
NC
(4)
A
4
A
3
NC/TMS
(2)
A
0
NC/TCK
(2)
A
12
A
13
A
16
A
17
5280 tbl 17a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3579YSA75BQGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V3579YSA75PFGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| IDT71V416S10BEG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10BEGI | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
| IDT71V416S10PHG | 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V416L10BE | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416L10BE8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA |
| IDT71V416L10BEG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V416L10BEG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V416L10BEGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 48FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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