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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V421L55PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 2K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP64 |
| 封裝： | TQFP-64 |
| 文件頁數(shù)： | 5/14頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IDT71V421L55PF |
6.42
IDT71V321/71V421S/L
High Speed 3.3V 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts Industrial and Commercial Temperature Ranges
5
#85
V
CC
CE
3.0V
3.0V
DATA RETENTION MODE
t
CDR
t
R
V
IH
V
IH
V
DR
V
DR
≥
2.0V
3026 drw 04
,
$
590
30pF
435
DATA
OUT
BUSY
INT
590
435
5pF
DATA
OUT
3026 drw 05
3.3V
3.3V
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
HZ
, t
LZ
, t
WZ
, and t
OW
)
*Including scope and jig.
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
3026 tbl 08
34%54
%"""")*#
!
71V321X25
71V421X25
Com'l
& Ind
71V321X35
71V421X35
Com'l Only
71V321X55
71V421X55
Com'l Only
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
25
____
35
____
55
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
25
____
35
____
55
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
____
25
____
35
____
55
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
12
____
20
____
25
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
12
____
15
____
30
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
50
____
50
____
50
ns
3026 tbl 09
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V421L55PFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V421L55TF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V421L55TFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V421S25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT71V421S25TF | HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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| IDT71V424L10PHG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V424L10PHG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V424L10PHGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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