參數(shù)資料
型號(hào): IDT71V67902S85BGI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
中文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù): 8/23頁
文件大?。?/td> 527K
代理商: IDT71V67902S85BGI
6.42
8
IDT71V67702, IDT71V67902, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous Commercial and Industrial Temperature Ranges
SRAMs with 2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
Pin Configuration 512K x 18, 165 fBGA
Pin Configuration 256K x 36, 165 fBGA
NOTES:
1. H1 does not have to be directly connected to V
SS,
as long as the input voltage is < V
IL
.
2. H11 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
3. Pin N6, B11, A1, R2 and P2 are reserved for 18M 36M 72M and 144Mand 288Mrespectively.
4. DNU= Do not use; these signals can either be left unconnected or tied to Vss.
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CLK
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OE
ADSP
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C
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P3
NC
V
DDQ
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SS
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NC
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P2
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DDQ
V
DD
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SS
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SS
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DD
V
DDQ
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E
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V
DDQ
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DD
V
SS
V
SS
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SS
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SS
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SS
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DDQ
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SS
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H
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SS
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NC
NC
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SS
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NC
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SS
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SS
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SS
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DD
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DDQ
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M
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DDQ
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SS
V
SS
V
SS
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DDQ
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N
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NC
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DDQ
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NC
NC
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NC
V
SS
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P1
P
NC
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DNU
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5317tbl 17a
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NC
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SS
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P1
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DDQ
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SS
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DDQ
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DDQ
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M
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NC
V
DDQ
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DD
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SS
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SS
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DD
V
DDQ
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0
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N
I/O
P2
NC
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DDQ
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SS
NC
NC
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NC
V
SS
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NC
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P
NC
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5317 tbl 17b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V67902S85BQ 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67902S85BQI 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67902S85PF 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67902S85PFI 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT7200L Pleated Foil Flat Jacketed Cable, 93101/80 30 AWG, .025 (0.64)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V67903S75BG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75BQG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI