參數(shù)資料
型號： IDT71V67902S85BQ
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 9/23頁
文件大?。?/td> 527K
代理商： IDT71V67902S85BQ
6.42
9
IDT71V67702, IDT71V67902, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous Commercial and Industrial Temperature Ranges
SRAMs with 2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
1
2
3
4
20 30 50
100
200
t
CD
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
80
5
6
5317 drw 05
,
V
DDQ
/2
50
I/O
Z
0
= 50
5317 drw 03
,
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
|
LI
|
Input Leakage Current
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
5
μA
|
LI
|
LBO
Input Leakage Current
(1)
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
30
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
CC
___
5
μA
V
OL
Output LowVoltage
I
OL
= +6mA, V
DD
= Min.
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -6mA, V
DD
= Min.
2.0
___
V
5317
tbl 08
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(1)
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V ± 5%)
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
Figure 1. AC Test Load
AC Test Load
AC Test Conditions
(V
DDQ
= 2.5V)
NOTE:
1. The
LBO
pin will be internally pulled to V
DD
if it is not actively driven in the application and the ZZ in will be internally pulled to V
SS
if not actively driven.
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. At f = f
MAX,
inputs are cycling at the maximumfrequency of read cycles of 1/t
CYC
while
ADSC
= LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V
HD
= V
DDQ
- 0.2V, V
LD
= 0.2V. For other inputs V
HD
= V
DD
- 0.2V, V
LD
= 0.2V.
Symbol
Parameter
Test Conditions
7.5ns
8ns
8.5ns
Unit
Com'l
Ind
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I
DD
Operating Power Supply Current
Device Selected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
IH
or < V
IL
, f = f
MAX
265
285
210
230
190
210
mA
I
SB1
CMOS Standby Power Supply Current
Device Deselected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = 0
(2,3)
50
70
50
70
50
70
mA
I
SB2
Clock Running Power Supply Current
Device Deselected, Outputs Open, V
DD
= Max.,
V
DDQ
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = f
MAX
(2,.3)
145
165
140
160
135
155
mA
I
ZZ
Full Sleep Mode Supply Current
ZZ > V
HD
V
DD
= Max.
50
70
50
70
50
70
mA
5317
tbl 09
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Timng Reference Levels
AC Test Load
0 t
o
2.5V
2ns
(V
DDQ
/2)
(V
DDQ
/2)
See Figure 1
5317 tbl 10
相關PDF資料
PDF描述
IDT71V67902S85BQI 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67902S85PF 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67902S85PFI 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT7200L Pleated Foil Flat Jacketed Cable, 93101/80 30 AWG, .025 (0.64)
IDT7201LA CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
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參數(shù)描述
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