參數(shù)資料
型號: IDT71V67902S85BQI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
中文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁數(shù): 22/23頁
文件大?。?/td> 527K
代理商: IDT71V67902S85BQI
6.42
22
IDT71V67702, IDT71V67902, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous Commercial and Industrial Temperature Ranges
SRAMs with 2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
Ordering Information
100-Pin Plastic Thin Quad Flatpack (TQFP)
119 Ball Grid Array (BGA)
165 Fine Pitch Ball Grid Array (fBGA)
S
Power
X
Speed
XX
Package
PF
BG
BQ
IDT
XXX
75
80
85
Access Time in Tenths of Nanoseconds
5317 drw 12
Device
Type
71V67702
71V67902
256K x 36 Flow-Through Burst Synchronous SRAM
512K x 18 Flow-Through Burst Synchronous SRAM
,
Blank
I
XX
Process/Temp
Range
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V67902S85PF 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT71V67902S85PFI 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
IDT7200L Pleated Foil Flat Jacketed Cable, 93101/80 30 AWG, .025 (0.64)
IDT7201LA CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
IDT7200LA20XEB CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V67903S75BG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V67903S75BQG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI