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參數資料
| 型號： | IDT71V67902S85BQI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 23/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 527K |
| 代理商： | IDT71V67902S85BQI |
6.42
23
IDT71V67702, IDT71V67902, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous Commercial and Industrial Temperature Ranges
SRAMs with 2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
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Datasheet Document History
12/31/99
Created Datasheet from71V677 and 71V679 Datasheets
For 3.3V I/O offering, see 71V67703 and 71V67903 Datasheets
Pg. 4
Add capacitance for BGA package; Insert clarification note to Absolute Max Ratings and
Recommended Operating Temperature tables.
Pg. 7
Replace Pin U6 with
TRST
pin in BGA pin configuration; Add pin description note in pinout
Pg. 18
Inserted 100 pin TQFP Package DiagramOutline
Pg. 1,4,8,21 Add new package offering, 13 x 15 fBGA
22
Pg. 5,6,7,8 Correct note 2 on BGA and TQFP pin configuration
Pg. 20
Correction in the 119 BGA Package DiagramOutline
Pg. 5,6,8
Remove note fromTQFP and BQ165 pinout
Pg. 7
Add/Remove reference note fromBG119 pinout
Pg. 20
Update BG119 package diagramoutline dimensions
Pg. 9
Updated ISB2 levels for tcd = 7.5ns - 8.5ns
Pg. 1,2
Remove JTAG pins
Pg. 7
Changed U2-U6 pins to DNU
Pg. 8
Changed P5, P7, R5 & R7 pins to DNU
Pg. 9
Raise specs on 7.5ns, 8ns & 8.5ns by 10mA
Pg. 4,9,12, Added Industrial information to the datasheet.
22
Pg. 1-23
Changed datasheet fromAdvanced Information to Final Release.
Pg. 4
Updated 165 fBGA table fromTBD to 7.
Pg. 7
Updated 119BGA pin configurations- I/O signals on P6, P7 (128K x36) and P7, N6, L6, K7,
H6, G7, F6, E7, D6 (256K x 18).
04/26/00
05/24/00
07/12/00
07/16/01
10/29/01
08/27/02
10/22/02
04/15/03
12/20/03
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67902S85PF | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| IDT71V67902S85PFI | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| IDT7200L | Pleated Foil Flat Jacketed Cable, 93101/80 30 AWG, .025 (0.64) |
| IDT7201LA | CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 |
| IDT7200LA20XEB | CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 256 x 9, 512 x 9, 1K x 9 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT71V67903S75BG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S75BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S75BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S75BQ8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
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