IDT72V205/72V215/72V225/72V235/72V245 3.3V CMOS SyncFIFOTM 256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 2,048 x 1" />
參數(shù)資料
型號: IDT72V235L10PF
廠商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù): 14/25頁
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描述: IC FIFO SYNC 2048X18 10NS 64TQFP
標準包裝: 90
系列: 72V
功能: 同步
存儲容量: 36.8K(2K x 18)
數(shù)據(jù)速率: 100MHz
訪問時間: 10ns
電源電壓: 3 V ~ 3.6 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 64-LQFP
供應商設(shè)備封裝: 64-TQFP(14x14)
包裝: 托盤
其它名稱: 72V235L10PF
21
IDT72V205/72V215/72V225/72V235/72V245 3.3V CMOS SyncFIFOTM
256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18, 2,048 x 18 and 4,096 x 18
COMMERCIALANDINDUSTRIAL
TEMPERATURERANGES
MARCH 2013
Figure 27. OR
OR
OR Flag Timing and First Word Fall Through when FIFO is Empty (FWFT mode)
NOTES:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge to guarantee that EF will go HIGH after one RCLK cycle plus tREF. If the time between the rising
edge of WCLK and the rising edge of RCLK is less than tSKEW1. then the EF deassertion may be delayed an extra RCLK cycle.
2. LD = HIGH
3. Select this mode by setting (FL, RXI, WXI) = (0,1,0) or (1,1,0) during Reset.
Figure 26. Read Cycle Timing with Double Register-Buffered EF
EF
EF (IDT Standard Timing)
NOTES:
1. tSKEW1 is the minimum time between a rising WCLK edge and a rising RCLK edge for OR to go HIGH during the current cycle. If the time between the rising edge of WLCK and
the rising edge of RCLK is less than tSKEW1, then the OR deassertion may be delayed one extra RCLK cycle.
2. LD = HIGH, OE = LOW
3. Select this mode by setting (FL, RXI, WXI) = (0,0,1) or (1,0,1) during Reset.
W1
W2
W4
W[n +2]
W[n+3]
WCLK
WEN
D0
- D17
RCLK
tDH
tDS
tENS
tSKEW1
REN
Q0
- Q17
tDS
tA
tREF
OR
W1
DATA IN OUTPUT REGISTER
(1)
W3
1
2
3
tENH
tREF
4294 drw 27
NO OPERATION
RCLK
REN
EF
tCLKL
tENH
tREF
LAST WORD
tA
tOLZ
tOE
Q0 - Q17
OE
WCLK
WEN
4294 drw 26
D0 - D17
tENS
tENH
tDS
tDH
FIRST WORD
tOHZ
tCLK
12
tREF
tSKEW1
tCLKH
(1)
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PDF描述
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