- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377328 > IDTIDT71P71804200BQ (Integrated Device Technology, Inc.) 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDTIDT71P71804200BQ |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線的DDR II SRAM的突發(fā)⑩2 |
| 文件頁數(shù)： | 12/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 241K |
| 代理商： | IDTIDT71P71804200BQ |
6.42
12
IDT71P71804 (1M x 18-Bit) 71P71604 (512K x 36-Bit)
18 Mb DDR II SRAM Burst of 2 Commercial Temperature Range
AC Test Load
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
=50
V
DDQ
/2
V
REF
OUTPUT
6112 drw 04
ZQ
R
Q
= 250
DDQ
/2
V
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Core Power Supply Voltage
V
DD
1.7 to 1.9
V
2
I/O Power Supply Voltage
V
DDQ
1.4 to V
DD
V
2
Input High Level
V
IH
(V
DDQ
/2)+ 0.5
V
Input Low Level
V
IL
(V
DDQ
/2)- 0.5
V
Input Reference Level
VREF
V
DDQ
/2
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
0.3/0.3
ns
DQ Rise/Fall Time
0.5/0.5
Output Timng Reference Level
V
DDQ
/2
V
6112 tbl 11a
AC Test Conditions
(1)
NOTE:
1. Parameters are tested with RQ=250
2. VDDQ does not exceed VDD. During AC testing VDDQ is within 300mV of
VDD.
Input Waveform
Output Waveform
(V
DDQ
/2) + 0.5V
(V
DDQ
/2) - 0.5V
6112 drw 07
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Test points
6112 drw 08
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
Test points
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71804250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDT71P73104 | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104167BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P73104250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 4 |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P71804250BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104167BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104167BQI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104200BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79104200BQI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。