參數(shù)資料
型號(hào)： IDTIDT71P79204200BQI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
中文描述： 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2
文件頁(yè)數(shù)： 15/23頁(yè)
文件大?。?/td> 641K
代理商： IDTIDT71P79204200BQI
6.42
15
IDT71P79204 (2Mx8-Bit), 71P79104 (2Mx9-Bit), 71P79804 (1Mx18-Bit) 71P79604 (512Kx36-Bit)
18 Mb DDR II SIO SRAM Burst of 2 Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Combined Read and Write Cycles
6432 drw 09a
K
K
1
2
3
LD
A
Q
tKHCH
tKHKL
tKHIX
tIVKH
tKHAX
tAVKH
C
C
CQ
CQ
tCHQX
tCHQX1
tKLKH
tCHCQV
tCHCQX
R/
W
D
tDVKH
tDVKH
4
5
6
7
tKLKH
tKHKH
tKH
K
H
A2
A1
A0
A3
tKHDX
tKHDX
D20
tCHQV
tCHQX
tCHQV
tCQHQV
tKHCH
tKHKL
NOP
Read A0
(burst of 2)
Read A1
(burst of 2)
Write A3
(burst of 2)
Write A2
(burst of 2)
Read A4
(burst of 2)
D21
Q00
Q01
Q10
Q11
Q40
Q41
8
NOP
A4
D30
D31
Qx1
tCHQZ
tKHKH
tKH
K
H
tCHCQX
tCHCQV
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDTIDT71P79204250BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204267BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204267BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79604167BQ 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79604167BQI 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDTIDT71P79204250BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204250BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204267BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79204267BQI 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
IDTIDT71P79604167BQ 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2
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