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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDTIDT71P79604167BQI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| 中文描述： | 35.7流水線⑩二二氧化硅的DDR SRAM的爆裂2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 641K |
| 代理商： | IDTIDT71P79604167BQI |
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6.42
5
IDT71P79204 (2Mx8-Bit), 71P79104 (2Mx9-Bit), 71P79804 (1Mx18-Bit) 71P79604 (512Kx36-Bit)
18 Mb DDR II SIO SRAM Burst of 2 Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration IDT71P79204 (2M x 8)
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TCK
SA
SA
SA
C
SA
SA
SA
TMS
TDI
6432 tbl 12
165-ball FBGA Pinout
TOP VIEW
NOTES:
1. A10 is reserved for the 36Mb expansion address.
2. A2 is reserved for the 72Mb expansion address.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P79604200BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79604200BQI | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79604250BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79604250BQI | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79604267BQ | 18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDTIDT71P79604200BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79604200BQI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79604250BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79604250BQI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
| IDTIDT71P79604267BQ | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:18Mb Pipelined DDR⑩II SIO SRAM Burst of 2 |
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