參數(shù)資料
型號: IMB5
英文描述: TRANSISTOR | SO
中文描述: 晶體管|蘇
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 148K
代理商: IMB5
相關PDF資料
PDF描述
IMB6A TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SO
IMB6 TRANSISTOR | SO
IMB7 TRANSISTOR | SO
IMB8 TRANSISTOR | SO
IMBT2222 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | TO-236
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IMB5A 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors)
IMB5AT108 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP/PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
IMB7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | SO
IMB7A 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors)
IMB7AT108 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP/PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel