參數(shù)資料
型號: IMT2
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
中文描述: 晶體管|晶體管|一對|進步黨| 40V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|蘇
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代理商: IMT2
相關PDF資料
PDF描述
IMT3 TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
IMT4-7 TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-26
IMT4T108 TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-74
IMT5 TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
IMX11 TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SO
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IMT2A 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR
IMT2A_11 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR
IMT2AG-AG6-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR
IMT2AL-AG6-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR
IMT2AT108 功能描述:兩極晶體管 - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2