參數(shù)資料
型號： IPB06CN10NG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 523K
代理商： IPB06CN10NG
IPB06CN10N G IPI06CN10N G
IPP06CN10N G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
6920
9200
pF
Output capacitance
C
oss
-
1050
1400
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
58
87
Turn-on delay time
t
d(on)
-
17
26
ns
Rise time
t
r
-
27
40
Turn-off delay time
t
d(off)
-
26
39
Fall time
t
f
-
7
10
Gate Charge Characteristics
6)
Gate to source charge
Q
gs
-
36
49
nC
Gate to drain charge
Q
gd
-
25
37
Switching charge
Q
sw
-
40
58
Gate charge total
Q
g
-
104
139
Gate plateau voltage
V
plateau
-
5.3
-
V
Output charge
Q
oss
V
DD
=50 V,
V
GS
=0 V
-
111
148
nC
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
100
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
400
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=100 A,
T
j
=25 °C
-
1
1.2
V
Reverse recovery time
t
rr
-
110
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
-
295
-
nC
6)
See figure 16 for gate charge parameter definition
V
R
=50 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=100 A/μs
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=50 V,
f
=1 MHz
V
DD
=50 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A,
R
G
=1.6
V
DD
=50 V,
I
D
=100 A,
V
GS
=0 to 10 V
Rev. 1.05
page 3
2006-06-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPI06CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06N03LA Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:22-55
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPB06CN10NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor
IPB06CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB06CNE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB06CNE8NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06CNE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
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