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      參數(shù)資料
      型號: IPB06CN10NG
      廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
      英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
      中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶體管
      文件頁數(shù): 6/11頁
      文件大?。?/td> 523K
      代理商: IPB06CN10NG
      IPB06CN10N G IPI06CN10N G
      IPP06CN10N G
      9 Drain-source on-state resistance
      10 Typ. gate threshold voltage
      R
      DS(on)
      =f(
      T
      j
      );
      I
      D
      =100 A;
      V
      GS
      =10 V
      V
      GS(th)
      =f(
      T
      j
      );
      V
      GS
      =
      V
      DS
      parameter:
      I
      D
      11 Typ. capacitances
      12 Forward characteristics of reverse diode
      C
      =f(
      V
      DS
      );
      V
      GS
      =0 V;
      f
      =1 MHz
      I
      F
      =f(
      V
      SD
      )
      parameter:
      T
      j
      typ
      98 %
      0
      2
      4
      6
      8
      10
      12
      14
      -60
      -20
      20
      60
      100
      140
      180
      T
      j
      [°C]
      R
      D
      [
      ]
      180 μA
      1800 μA
      0
      0.5
      1
      1.5
      2
      2.5
      3
      3.5
      4
      -60
      -20
      20
      60
      100
      140
      180
      T
      j
      [°C]
      V
      G
      Ciss
      Coss
      Crss
      10
      5
      10
      4
      10
      3
      10
      2
      10
      1
      0
      20
      40
      60
      80
      V
      DS
      [V]
      C
      25 °C
      175 °C
      25 °C, 98%
      175 °C, 98%
      10
      3
      10
      2
      10
      1
      10
      0
      0
      0.5
      1
      1.5
      2
      V
      SD
      [V]
      I
      F
      Rev. 1.05
      page 6
      2006-06-02
      相關(guān)PDF資料
      PDF描述
      IPI06CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
      IPB06CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
      IPI06CNE8NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
      IPB06N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
      IPB06N03LA Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:22-55
      相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
      參數(shù)描述
      IPB06CN10NG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor
      IPB06CN10NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
      IPB06CNE8N G 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
      IPB06CNE8NG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
      IPB06CNE8NGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263